三星Galaxy S26 Edge跑分曝光：搭載驍龍8 Elite 2超頻版 性能略超普通版

【TechWeb】這段時間以來，各大手機廠商下半年的年度旗艦已陸續(xù)得到曝光，受到了外界的廣泛關注，其中搭載高通新一代驍龍旗艦平臺的機型自然備受關注。據悉，今年的高通驍龍峰會2025將于9月23日-9月25日舉行，屆時驍龍8 Elite 2將正式登場?，F在有最新消息，近日有數碼博主進一步帶來了將搭載該芯片的三星Galaxy S26 Edge的Geekbench跑分數據。

據知名數碼博主@體驗more 最新發(fā)布的信息顯示，全新的三星Galaxy S26 Edge的Geekbench跑分數據已公布，該機將搭載高通為三星定制的驍龍8 Elite 2超頻版移動平臺，其單核跑分為3393分，多核跑分達到11515分。同時該博主透露，該平臺采用了獨特的CPU架構設計，配備2顆4.74GHz超大核和6顆3.63GHz大核。該博主透露，國內廠商使用的普通版本頻率會略低0.1X左右，約為4.6GHz。GPU方面，該平臺搭載了Adreno 840圖形處理器，為游戲和高負載應用提供強勁的支持。

其他方面，根據此前曝光的消息，全新的三星Galaxy S26 Edge不僅將延續(xù)超薄機身的設計理念，還配備了新材料電池，這使得其在續(xù)航能力上有望實現大幅提升。據了解，關于Galaxy S26 Edge電池容量的說法有兩種：官方規(guī)格顯示為4400mAh，而供應鏈方面則顯示為4200mAh。盡管存在差異，但無論哪種情況，其電池容量相比前代產品Galaxy S25 Edge的3900mAh，都有明顯的提升。

據悉，三星將在明年1月發(fā)布Galaxy S26系列，共三款機型，分別是Galaxy S26、Galaxy S26 Edge和Galaxy S26 Ultra。更多詳細信息，我們拭目以待。(Suky)